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简介
薄膜铌酸锂光调制组件采用薄膜铌酸锂调制器与偏置控制电路集成设计，实现微波信号的电光转换，具有集成度高、体积小、半波电压低等显著优点。
应用范围
微波光子学、宽带光信号处理、光控阵列、光子TR组件、高速光通信等领域。
性能指标
性能maximum值
参数 | minimum值 | maximum值 | 单位 |
储存温度 | -50 | 85 | ℃ |
工作温度 | -40 | 70 | ℃ |
工作相对湿度 | 20 | 90 | % |
射频输入功率 | - | 20 | dBm |
输入光功率 | - | 20 | dBm |
电性能指标
参数 | minimum值 | 典型值 | maximum值 | 单位 | 备注 |
半波电压 | - | 3.5 | 5 | V | @100KHz |
射频端阻抗匹配 | - | 50 | - | Ohm | |
射频端回波损耗 | - | -10 | -9 | dB | |
工作带宽 | - | 40 | - | GHz | |
输入信号 1dB 压缩 | - | 14 | - | dBm | |
工作电压 | - | 5 | 6.5 | V | |
工作电流 | - | 0.02 | 0.03 | A | |
射频接口 | SSMP | ||||
光性能指标
参数 | minimum值 | 典型值 | maximum值 | 单位 |
工作波长 | 1520 | - | 1570 | nm |
插入损耗 | - | 4.5 | 5.5 | dB |
消光比 | 20 | - | - | dB |
光纤类型 | 输入：保偏光纤 输出：保偏光纤或单模光纤 | |||
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